什麼是igbt
最佳答案 IGBT是絕緣柵雙極型電晶體。是由BJT雙極型三極體和MOS絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
IGBT是絕緣柵雙極型電晶體。是由BJT雙極型三極體和MOS絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
靜態特性：ＩＧＢＴ 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。ＩＧＢＴ 的伏安特性是指以柵源電壓Ｕｇｓ 為參變數時，漏極電流與柵極電壓之間的關係曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ｕｇｓ 的控制，Ｕｇｓ 越高， Ｉｄ 越大。它與ＧＴＲ 的輸出特性相似。也可分為飽和區１ 、放大區２ 和擊穿特性３ 部分。在截止狀態下的ＩＧＢＴ ，正向電壓由Ｊ２ 結承擔，反向電壓由Ｊ１結承擔。如果無Ｎ＋緩衝區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入Ｎ＋緩衝區後，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了ＩＧＢＴ 的某些應用範圍。